結晶構造・方位解析装置（EBSD）


　固体試料表面に電子ビームを照射し、後方散乱回折パターン（菊池パターン）から結晶粒の方位や結晶相の集合状態を解析します。走査型電子顕微鏡の付帯機能です。

装置外観
JSM-7800F
JEOL製 JSM-7800F
EBSD
OXFORD製　結晶方位解析装置（EBSD）
JSM-F100
JEOL製　JSM-F100
EBSD
TSL製　結晶方位解析装置（EBSD）
　原理 　固体試料表面に電子線を照射し、
　(1) 試料から発生する二次電子、反射電子、特性X線を検出して観察・分析を行う。
　(2) 試料表面で生じる電子線後方散乱回折によって観測されたEBSDパターンを測定・解析することで、結晶方位等の情報を取得する。 　用途 　(1) 試料の形態、破断面、微細領域の観察
　(2) 観察部分の化学成分組成の定性分析
　(3) 配向性評価等の結晶方位解析

装置仕様 装置仕様 JSM-7800F JSM-F100 加圧電力 0.01〜30kV 0.01〜30kV 二次電子分解能 加速電圧 15kV 0.8nm 加速電圧 20kV 0.9nm 加速電圧 1kV 1.2nm 加速電圧 1kV 1.3nm 倍率 x25～x1,000,000 x10～x1,000,000 分析元素 Be～Cf B～U EDX OXFORD製 UltimMax170 日本電子製 ドライSD EBSD OXFORD製 SymmetryS3 TSL製 DigiView5

JSM-7800F事例紹介
　1. 磁石材料の低加速SEM観察
　2. SEMによる電子線後方散乱回折法（EBSD）
　3. 電界放出型走査電子顕微鏡（SEM-EDS-EBSD）