顕微レーザーラマン分光分析によるSiCの応力分布測定

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　残留応力は製品に変形や破壊などの様々な悪影響を及ぼします。
　その測定方法はいくつかありますが、ラマン分光分析も有効な手段の一つです。
　ここでは、半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の測定例をご紹介します。

　応力分布測定に用いられる主な測定方法と面分解能

分析装置

分析方法

分析対象

面分解能

XRD

X線

結晶性物質

約1～10mm

RAMAN

可視光レーザー

ラマン活性物質
（半導体、カーボン、高分子材等）
※金属は不可

約μm