顕微レーザーラマン分光分析によるSiCの応力分布測定


 残留応力は製品に変形や破壊などの様々な悪影響を及ぼします。
 その測定方法はいくつかありますが、ラマン分光分析も有効な手段の一つです。
 ここでは、半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の測定例をご紹介します。

 応力分布測定に用いられる主な測定方法と面分解能

分析装置
分析方法
分析対象
面分解能
XRD
X線
結晶性物質
約1~10mm
RAMAN
可視光レーザー
ラマン活性物質
(半導体、カーボン、高分子材等)
※金属は不可
約μm