顕微レーザーラマン分光分析によるSiCの応力分布測定
残留応力は製品に変形や破壊などの様々な悪影響を及ぼします。
その測定方法はいくつかありますが、ラマン分光分析も有効な手段の一つです。
ここでは、半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の測定例をご紹介します。
応力分布測定に用いられる主な測定方法と面分解能
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分析装置
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分析方法
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分析対象
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面分解能
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XRD
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X線
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結晶性物質
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約1~10mm
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RAMAN
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可視光レーザー
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ラマン活性物質
(半導体、カーボン、高分子材等)
※金属は不可
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約μm
- 分析装置
- 分析方法
- 分析対象
- 面分解能
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XRD
- X線
- 結晶性物質
- 約1~10mm
- RAMAN
- 可視光レーザー
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ラマン活性物質
(半導体、カーボン、高分子材等)
※金属は不可 - 約μm
![](/dbr/products/img/stress_distribution_img1.jpg)